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超越三星,台积电提高2013年资本支出为100亿美元聚焦20奈米制程与16奈米FinFET技术

2024-05-06 233

台湾晶圆代工龙头厂台积电(TSMC)董事长暨总首席执行官张忠谋在法人说明会上宣布,确定调高2013年资本支出(CAPEX)金额到95亿至100亿美元,符合外界预期。不过如此一来,就超越韩厂三星(Samsung)半导体事业在2013年的资本支出金额了。

由于全球PC市场走弱,传统CPU大厂英特尔(Intel)的产能相对需要调整,因此积极进军代工领域。同时,格罗方德(GlobalFoundries)、三星等公司在晶圆代工的高端订单方面也开始有斩获,这些对于目前晶圆代工技术最前端的台积电而言,都是具体与潜在的威胁,因此该公司提高资本支出,在制程技术方面继续投资,购买先进设备是必要的措施。

原本台积电预期在2013年的资本支出为90亿美元,目前已经确定要调高到95亿至100亿美元。而这次的资本支出,主要是因应20奈米半导体代工制程技术,16奈米鳍式场效内存(FinFET)制程技术的发展需求。如果台积电的原订计划顺利,预计在2014年Q1,该公司的20奈米制程就开始量产,届时会吸引需要高阶晶圆代工服务的半导体客户下单。另外,未来被看好的16奈米FinFET制程,预估也是要在2014年Q1量产,比之前预定的时程要再加速。

资本支出两样情

另外,韩厂三星2013年的半导体事业部分,其资本设备支出有削减的现象,这是受到苹果(Apple)新一代A7处理器部分订单被转到其他晶圆代工厂的因素而影响,三星一口气把半导体事业的资本支出将从2012年的121亿减少到95亿美元,衰退幅度高达21.5%,这个金额和台积电今天(4月18日)宣示的95亿美元~100亿美元相当。三星的半导体事业包括了逻辑IC、晶圆代工、DRAM与NAND Flash,自然也包括前一段时间缺货的MCP。其中,资本支出方面分配给DRAM与NAND Flash的比重较低。

英特尔方面也是扩大资本支出,预估要花127亿美元,YoY是15.2%,与台积电这次的策略都是设法在这个时节扩大先进制程的领先优势。但三星受限于之前我们报导过的苹果去三星化策略,导致在高毛利CPU订单外流的情况下,必须得固守自家芯片供应,也因此在资本支出方面,转趋保守。

半导体制程的未来趋势还有哪些呢?

除了28奈米以下制程,逐步到22奈米、20奈米在2014年成为高阶订单的主流外,16奈米制程的FinFET、18吋晶圆厂(台积电是选在台湾的中科盖新厂)是未来的市场焦点。至于微影技术,则是继续往超紫外光(EUV)技术前进,整体这些新技术需要花的钱,都是几十亿、几百亿美元这样花下去烧出来的,且让我们拭目以待。

2019-04-14 02:30:00

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