业界传出，台积电又再拿下大单，将代工博通（Broadcom）与特斯拉（Tesla）共同研发的高效能运算芯片（HPC）。
消息指出，此单将会以台积电 7 奈米制程投片，且值得注意的是，将采用台积电 InFO 等级的系统单晶圆（System-on-Wafer，SoW）技术，能将 HPC 芯片在不需要基板及 PCB 情况下直接与散热模组整合成单一封装，是今年才刚量产的最新技术。此案预计第四季开始生产，初期将先投约 2,000 片。
针对 HPC 基板上晶圆上芯片封装制程（CoWoS），台积电今年已经推出支援 5 奈米逻辑单芯片及 2.5 倍光罩尺寸（Reticle）中介层（Interposer），并可做到 5 层金属层（Metal layers）及深沟槽晶体管（DTC）的程度，最高能搭载 6 颗 HBM2e 内存。明年还将更进一步，做到 3 倍光罩尺寸中介层，并支援搭载最多 8 颗内存。
而这次博通为特斯拉打造的 ASIC 芯片据传将成为未来新款电动车的核心处理器，将用于实现真正自驾能力的重要合作项目，每片 12 吋晶圆约只能切割出 25 颗芯片而已，是利用路线重分布（RDL）技术将电源等多颗芯片进行连结，并直接贴合在散热模组上，预期明年第 4 季将进行大规模量产。
业界表示，虽然目前先进封装技术也是竞争激烈，但如三星在晶圆制造上之线宽微缩已落后于台积电，整体实力评估，可能只有英特尔开发的 EMIB 先进封装技术能够与之比肩。但如今英特尔 7 奈米制程出现问题，且主要仍以 IDM 为主的情况下，无法如台积电一般广泛供应给其他高阶芯片商，基本上台积电封装技术应会成为市场主流。
（首图来源：台积电）
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