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【CES 2020】两大技术升级,工研院四方合作拼接型 Micro LED 动感亮相

2024-03-28 235


从单片 Micro LED 模组进化到多片拼接动态显示,工研院与 LED 驱动 IC 厂聚积科技、PCB 厂欣兴电子、半导体厂镎创科技,四方合作研发的次世代显示技术 Micro LED 又再度升级,最新成果在 7 日刚开展的美国消费性电子展(CES 2020)中正式公开。

工研院跟三厂所开发的被动矩阵式驱动“超小间距 Micro LED 显示模组”,继 2018 年成功将 Micro LED 阵列芯片直接转移到 PCB 基板、创下全球首例后,2019 年 6 月进一步达成真正的 RGB 全彩,改善红光良率并克服弱化结构难题。时隔半年,四方合作结晶再度升级,实现多片模组拼接并以动态显示呈现。

先前所展出的 Micro LED 模组,主要以 6 cm x 10 cm 单片形式呈现静态影像;这次在 CES 中则是实现 15 片模组拼接,整体尺寸为 30 cm x 30 cm,达到间距(Pitch)625 μm、分辨率 480 x 480 pixel,而且能显示动态影像,视觉效果比起过去有了显著提升。

▲ 工研院在 CES 2020 最新公开的拼接型 Micro LED 室内显示看板应用,以 15 片 6 cm x 10 cm 模组组成

工研院电光所智能应用微系统组副组长方彦翔博士表示,过去半年在四方共同努力下实现两大技术升级,即良率提高及多片式组装。由于良率拉升、坏点问题大幅降低,多片模组拼接也得以实现,动态影像呈现效果也更理想。

“现在蓝、绿光 Sub-pixel(单一子画素)点亮良率超过 99.9 %‘三个9’,红光经修补后超过 99 %,我们还在努力往第三个 9 做,”方彦翔指出,RGB 三色的巨量转移良率几乎可达百分之百,但点亮良率才是更为关键,这表示 Micro LED 必须在转移下压到基板上时不破片,通电后又能实际点亮才算成功。

不仅如此,LED 晶圆所需兼备的三项数值标准,包括波长(Dominant Wavelength,Wd)、驱动电压(Forward Voltage,Vf)和反向漏电(流)(Reverse Leakage (Current),Ir) ,整体良率也有持续改善拉升,蓝绿光整体良率可提高到九成,红光略低,但已有大幅提升。

工研院与三厂合力开发的超小间距 Micro LED 显示模组,目前进度已达阶段性目标,今年会力拼试量产,并锁定室内显示看板(indoor signage)应用推进。

▲ 动态显示实测

方彦翔提到,工研院下阶段 Micro LED 技术会朝电竞、扩增实境(AR)与混合实境(MR)方向发展,将分别采用玻璃基板和硅基板研发不同应用产品,看好 Micro LED 技术将比 OLED、LCD 更能发挥优势。

除了持续开发 Micro LED 显示应用,工研院今年也将以整合感测器为发展方向,朝微组装(Micro assembly)技术应用开发与验证,持续为 Micro LED 技术开创更多可能。

(首图、图片、影片来源:《科技新报》摄)

延伸阅读:

  • 从红光晶粒到弱化结构,工研院四方合作 Micro LED 显示技术再进化
  • 工研院超小间距 Micro LED 显示模组,四方合作结晶首次亮相
  • 2020 CES 美国消费性电子展将揭幕,Micro LED 持续发烧
2020-01-07 15:05:00

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