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行动装置内存需求增,东芝传砸 400 亿增产 NAND Flash

2022-10-01 204

Thomson Reuters 13 日报导,为了因应智能手机/平板电脑用内存需求强劲,全球第 2 大 NAND 型闪存 (Flash Memory) 厂商东芝 (Toshiba) 计划对旗下 NAND Flash 生产据点“四日市工厂”第5厂房“Fab 5”进行细微化投资、扩增产能。据报导,东芝将投下 400 亿日圆更换“Fab 5”现有设备,借此扩增“Fab 5”产能。据产经新闻指出,上述细微化设备预计将在今年夏天前导入生产。

 

Thomson Reuters 并指出,关于“Fab 5”的扩建工程(第2期工程)部分,厂房建筑预计将在今夏完工,惟东芝将依据明年度(2014 年 4 月起的会计年度)以后的内存需求来决定生产设备的导入时间及规模。

东芝于去年 8 月 23 日举行了动工仪式,正式着手兴建 NAND Flash 新厂。该座 NAND Flash 新厂为东芝位于三重县四日市第三座 12 吋 NAND Flash 厂“Fab 5”的扩建工程,预计将在 2014 年度内(2015年3月底前)开始量产采用最先端细微化技术的高性能 NAND Flash 产品、且之后并计划于 2015 年度生产采用 3D 结构的 NAND Flash。

据日经指出,该座 NAND Flash 新厂房会将制程技术自目前的 19 奈米提升至 16-17 奈米,且导入量产后,东芝 12 吋晶圆月产能将可较目前的 45 万片提升约 20%。

2019-04-13 13:30:00

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