韩国内存大厂三星宣布，4 日正式推出 Flashbolt 的 HBM（高宽频）DRAM。这是第 3 代 HBM 技术，未来将用于超级电脑、GPU 和各种 AI 应用所需的高性能计算。
三星先前发表上一代 HBM Aquabolt DRAM 后一年内，于 Nvidia 2019 年 GTC（GPU 技术大会）首次宣布 Flashbolt HBM DRAM，这项储存技术预计用于 AMD 和 Nvidia 即将推出的高性能 GPU。
三星第 3 代 HBM 技术，HBM2E Flashbolt DRAM 可达到每针脚最高 3.2Gbp/s 的最大数据传输速度，较前一代最高 2.4Gbps 的最大数据传输速度提升 33%。三星解释，就是 1 秒内能传输 82 部高清影片。另外，透过缓冲芯片顶部垂直堆叠的 8 层 10 奈米级（1y）16Gb DRAM，可达 16GB 最大容量。该 HBM2E 封装是以 40,000 多个直通硅通孔（TSV）微型凸块的精确排列互连，每个 16Gb 芯片均包含 5,600 多个此类微小孔。
三星指出，在超频环境下，HBM2E Flashbolt DRAM 可提供每针高达 4.2Gb/s 数据传输速率，和 538GB/s 的 DRAM 带宽。三星表示，这些 DRAM 芯片将于 2020 上半年投产。目前除三星外，韩国另一家内存大厂 SK Hynix 也正在积极开发 HBM2E 的 DRAM 产品，预计也是 2020 年投产，使 HBM2E DRAM 产品市场竞争加剧。
（首图来源：三星）
